There are provided:
(1) a process for producing an InSbO.sub.4 -containing transparent
electroconductive film, which comprises the step of sputtering
simultaneously:
(i) a target (A) for sputtering, which comprises In, Sb and O, and whose
atomic ratio of Sb/In is from 0.9 to 1.1, and
(ii) a target (B) for sputtering, which comprises Sb,
(2) a transparent eletroconductive film, which contains In, Sb and O, and
whose atomic ratio of Sb/In is from 0.8 to 1.5, and
(3) a target for sputtering, which contains In, Sb and O, and whose atomic
ratio of Sb/In is from 1.2 to 2.0.
Werden zur Verfügung gestellt: (1) ein Prozeß für das Produzieren eines InSbO.sub.4 - transparenten elektrizitätsleitenden Film enthalten, der den Schritt von gleichzeitig spritzen enthält: (i) ein Ziel (a) für das Spritzen, das innen enthält, Sb und O und dessen Atomverhältnis von Sb/In von 0.9 bis 1.1 ist und (ii) ein Ziel (b) für das Spritzen, das Sb enthält, (2) eines transparenten eletroconductive Filmes, der innen enthält, Sb und O und dessen Atomverhältnis von Sb/In von 0.8 bis 1.5 ist, und (3) ein Ziel für das Spritzen, das innen enthält, Sb und O und dessen Atomverhältnis von Sb/In von 1.2 zu 2.0 ist.
