A semiconductor laser device having a real refractive index guided
structure capable of obtaining a high kink light output and a high maximum
light output also when a vertical beam divergence angle is at a small
level of at least 12.5.degree. and not more than 20.0.degree. is provided.
This semiconductor laser device comprises an n-type cladding layer of
AlGaInP formed on an n-type GaAs substrate, an active layer having an
AlGaInP layer formed on the n-type cladding layer, a p-type cladding layer
of AlGaInP formed on the active layer and a light confinement layer formed
to partially cover the p-type cladding layer, and a vertical beam
divergence angle is at least 12.5.degree. and not more than 20.0.degree..
Thus, a higher kink light output and a higher maximum light output can be
obtained as compared with a conventional semiconductor laser device having
a vertical beam divergence angle exceeding 20.0.degree..
Un dispositif de laser de semi-conducteur ayant un vrai indice de réfraction a guidé la structure capable d'obtenir une intensité lumineuse de repli élevé et une intensité lumineuse maximum élevée également quand un angle vertical de divergence de faisceau est à un petit niveau au moins de 12.5.degree. et pas de plus qu'20.0.degree. est fourni. Ce dispositif de laser de semi-conducteur comporte un n-type couche de revêtement d'AlGaInP formée sur un n-type substrat de GaAs, une couche active ayant une couche d'AlGaInP formée sur le n-type couche de revêtement, un p-type couche de revêtement d'AlGaInP formée sur la couche active et une couche mince d'emprisonnement formées pour couvrir partiellement le p-type couche de revêtement, et un angle vertical de divergence de faisceau est au moins 12.5.degree. et pas plus qu'20.0.degree.. Ainsi, une intensité lumineuse de repli plus élevé et une intensité lumineuse maximum plus élevée peuvent être obtenues par rapport à un dispositif conventionnel de laser de semi-conducteur ayant un angle vertical de divergence de faisceau excéder 20.0.degree..
