To develop a small quantity of various kinds of semiconductor devices in a
short time and to realize a photomask suitable to be manufactured at a low
cost. A shade pattern of a photomask is constituted by containing
nanoparticles such as carbon in an organic film such as a photoresist
film. A pattern is transferred to a photoresist on a semiconductor wafer
by means of the reduction projection exposure using the photomask. At the
time of the above exposure, it is possible to select exposure light within
a range of wide wavelengths including i-line, KrF excimer laser beam, ArF
excimer laser beam, or the like.
Per sviluppare una piccola quantità di vari generi di dispositivi a semiconduttore in poco tempo e realizzare un photomask adatto essere prodotto ad un basso costo. Un modello dello schermo di un photomask è costituito contenendo i nanoparticles quale carbonio in una pellicola organica quale una pellicola del photoresist. Un modello è trasferito ad un photoresist su una cialda a semiconduttore per mezzo dell'esposizione della proiezione di riduzione usando il photomask. Ai tempi di suddetta esposizione, è possibile selezionare la luce di esposizione all'interno di una gamma di lunghezze d'onda larghe compreso il fascio laser del excimer di KrF, della io-linea, fascio laser del excimer di ArF, e simili.
