An optically pumped laser with an Er:Yb: doped solid state gain element is
disclosed, which is passively mode-locked by means of a saturable absorber
mirror. The laser is designed to operate at a fundamental repetition rate
exceeding 1 GHz and preferably at an effective wavelength between 1525 nm
and 1570 nm. Compared to state of the art solid state pulsed lasers, the
threshold for Q-switched-mode-locked operation is substantially improved.
Thus, according to one embodiment, the laser achieves a repetition rate
beyond 40 GHz. The laser preferably comprises means for wavelength tuning
and repetition rate locking.
Un laser optiquement pompé avec un Er:Yb : l'élément à semi-conducteurs enduit de gain est révélé, qui est passivement mode-verrouillé à l'aide d'un miroir saturable d'amortisseur. Le laser est conçu pour fonctionner à un taux fondamental de répétition excédant 1 gigahertz et de préférence à une longueur d'onde efficace entre nm 1525 nm et 1570. Comparé aux lasers pulsés à semi-conducteurs du dernier cri, le seuil pour l'opération Q-commuter-mode-verrouillée est sensiblement amélioré. Ainsi, selon une incorporation, le laser réalise un taux de répétition au delà de 40 gigahertz. Le laser comporte de préférence des moyens pour la longueur d'onde accordant et fermeture de taux de répétition.
