A method and structure for an improved, vertically configured inverter
array is provided. The inverter includes a buried gate contact coupling
the body regions of a complementary pair of transistors. An electrical
contact couples the second source/drain regions of the complementary pair
of transistors. The transistors are formed in vertical pillars of single
crystalline semiconductor material.
Eine Methode und eine Struktur für eine verbesserte, vertikal zusammengebaute Inverterreihe wird zur Verfügung gestellt. Der Inverter schließt einen begrabenen Gatterkontakt ein, der die Körperregionen eines ergänzenden Paares Transistoren verbindet. Ein elektrischer Kontakt verbindet die zweiten source/drain Regionen des ergänzenden Paares der Transistoren. Die Transistoren werden in den vertikalen Pfosten des einzelnen kristallenen Halbleitermaterials gebildet.
