In an active matrix type liquid crystal display device, in which functional
circuits such as a shift register circuit and a buffer circuit are
incorporated on the same substrate, an optimal TFT structure is provided
along with the aperture ratio of a pixel matrix circuit is increased.
There is a structure in which an n-channel TFT, with a third impurity
region which overlaps a gate electrode, is formed in a buffer circuit,
etc., and an n-channel TFT, in which a fourth impurity region which does
not overlap the gate electrode, is formed in a pixel matrix circuit. A
storage capacitor formed in the pixel matrix circuit is formed by a light
shielding film, a dielectric film formed on the light shielding film, and
a pixel electrode. Al is especially used in the light shielding film, and
the dielectric film is formed anodic oxidation process, using an Al oxide
film.
В дисплейном устройстве кристалла активно типа матрицы жидкостном, в которое функциональные цепи such as цепь сдвигового регистра и цепь буфера включены на такой же субстрат, увеличена оптимальная структура TFT обеспечена вместе с светосилой цепи матрицы пиксела. Будет структура в н-kanal TFT, с третей зоной примеси которая перекрывает электрод строба, сформирован в цепи буфера, ETC, и н-kanale TFT, в котором четвертая зона примеси которая не перекрывает электрод строба, сформированы в цепи матрицы пиксела. Конденсатор хранения сформированный в цепи матрицы пиксела сформирован светлой защищая пленкой, диэлектрической пленкой сформированной на светлой защищая пленке, и электродом пиксела. Al специально использован в светлой защищая пленке, и диэлектрическая пленка будет сформированным анодным процессом оксидации, использующ пленку окиси al.
