Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications

   
   

Process for stripping photoresist from a semiconductor wafer formed with at least one layer of OSG dielectric. The stripping process may be formed in situ or ex situ with respect to other integrated circuit fabrication processes. The process includes a reaction may be oxidative or reductive in nature. The oxidative reaction utilizes an oxygen plasma. The reductive reaction utilizes an ammonia plasma. The process of the present invention results in faster ash rates with less damage to the OSG dielectric than previously known stripping methods.

Διαδικασία για photoresist από μια γκοφρέτα ημιαγωγών που διαμορφώνεται με τουλάχιστον ένα στρώμα osg διηλεκτρικό. Η διαδικασία γδυσίματος μπορεί να είναι διαμορφωμένο κανονικό ή πρώην situ όσον αφορά άλλες διαδικασίες επεξεργασίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Η διαδικασία περιλαμβάνει μια αντίδραση μπορεί να είναι οξειδωτική ή περιοριστικής φύσης. Η οξειδωτική αντίδραση χρησιμοποιεί ένα πλάσμα οξυγόνου. Η περιοριστική αντίδραση χρησιμοποιεί ένα πλάσμα αμμωνίας. Η διαδικασία της παρούσας εφεύρεσης οδηγεί στα γρηγορότερα ποσοστά τέφρας με τη λιγότερη ζημία osg διηλεκτρικό από τις προηγουμένως γνωστές μεθόδους γδυσίματος.

 
Web www.patentalert.com

< Superconducting wire

< Microwave dielectric ceramic composition

> GPS antenna unit for two-wheeled motor vehicle

> Fast acquisition of GPS signal

~ 00125