Process for stripping photoresist from a semiconductor wafer formed with at
least one layer of OSG dielectric. The stripping process may be formed in
situ or ex situ with respect to other integrated circuit fabrication
processes. The process includes a reaction may be oxidative or reductive
in nature. The oxidative reaction utilizes an oxygen plasma. The reductive
reaction utilizes an ammonia plasma. The process of the present invention
results in faster ash rates with less damage to the OSG dielectric than
previously known stripping methods.
Διαδικασία για photoresist από μια γκοφρέτα ημιαγωγών που διαμορφώνεται με τουλάχιστον ένα στρώμα osg διηλεκτρικό. Η διαδικασία γδυσίματος μπορεί να είναι διαμορφωμένο κανονικό ή πρώην situ όσον αφορά άλλες διαδικασίες επεξεργασίας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων. Η διαδικασία περιλαμβάνει μια αντίδραση μπορεί να είναι οξειδωτική ή περιοριστικής φύσης. Η οξειδωτική αντίδραση χρησιμοποιεί ένα πλάσμα οξυγόνου. Η περιοριστική αντίδραση χρησιμοποιεί ένα πλάσμα αμμωνίας. Η διαδικασία της παρούσας εφεύρεσης οδηγεί στα γρηγορότερα ποσοστά τέφρας με τη λιγότερη ζημία osg διηλεκτρικό από τις προηγουμένως γνωστές μεθόδους γδυσίματος.
