A magnetic random access memory (MRAM) device having parallel memory planes
is disclosed. Each memory plane includes a first magneto-resistive cross
point plane of memory cells, a second magneto-resistive cross point plane
of memory cells, a plurality of conductive word lines shared between the
first and second planes of memory cells, a first plurality of bit lines,
each of the first plurality of bit lines coupling one or more cells from
the first plane to at least one other memory cell in the first plane, a
second plurality of bit lines, each of the second plurality of bit lines
coupling one or more cells from the second plane to at least one other
memory cell in the second plane, and a plurality of unidirectional
elements. Further, the one unidirectional element couples a first memory
cell from the first plane to a selected word line and a selected bit line
in a first conductive direction and a second unidirectional element
couples a second cell from the second plane to the selected word line and
selected bit line in a second conductive direction. The device further
provides for a unidirectional conductive path to form from a memory cell
in the first plane to a memory cell in the second plane sharing the same
bit line.
Un dispositivo magnético de la memoria de acceso al azar (MRAM) que tiene planos de la memoria paralela se divulga. Cada plano de la memoria incluye un primer plano magnetoresistente de las células de memoria, un segundo plano magnetoresistente de las células de memoria, una pluralidad de líneas conductoras de la palabra compartidas entre los primeros y segundos planos de las células de memoria, una primera pluralidad de líneas del pedacito, cada uno del punto cruzado del punto cruzado de la primera pluralidad de líneas del pedacito que juntan unas o más células del primer plano por lo menos a una otra célula de memoria en el primer plano, una segunda pluralidad de líneas del pedacito, cada uno de la segunda pluralidad de líneas del pedacito que juntan unas o más células del segundo plano por lo menos a una otra célula de memoria en el segundo plano, y de una pluralidad de elementos unidireccionales. Además, el un elemento unidireccional junta una primera célula de memoria del primer plano a una línea seleccionada de la palabra y una línea seleccionada del pedacito en una primera dirección conductora y un segundo elemento unidireccional junta una segunda célula del segundo plano a la línea seleccionada de la palabra y seleccionó la línea del pedacito en una segunda dirección conductora. El dispositivo más futuro preve una trayectoria conductora unidireccional a la forma de una célula de memoria en el primer plano a una célula de memoria en el segundo plano que comparte la misma línea del pedacito.
