A copper electroplating bath and a method to plate substrates with the bath
are provided. The bath and method are particularly effective to plate
electronic components such as semiconductive wafer VLSI and ULSI
interconnects with void-free fill copper plating for circuitry forming
vias and trenches and other small features less than 0.2 microns with high
aspect ratios. The copper bath contains a bath soluble organic divalent
sulfur compound, and a bath soluble polyether compound such as a block
copolymer of polyoxyethylene and polyoxypropylene, a polyoxyethylene or
polyoxypropylene derivative of a polyhydric alcohol and a mixed
polyoxyethylene and polyoxypropylene derivative of a polyhydric alcohol. A
preferred polyether compound is a mixed polyoxyethylene and
polyoxypropylene derivative of glycerine. A preferred copper bath also
contains a pyridine compound derivative.
Een koper galvaniserend bad en een methode aan plaatsubstraten met worden het bad verstrekt. Het bad en de methode zijn bijzonder efficiënt om elektronische componenten zoals semiconductive wafeltje VLSI te plateren en ULSI verbindt met nietig-vrij vullingsverkoperen dat onderling voor schakelschema vias en geulen vormt en andere kleine eigenschappen dan minder 0,2 microns met hoge aspectverhoudingen. Het koperbad bevat een samenstelling van de bad oplosbare organische tweewaardige zwavel, en een samenstelling van de bad oplosbare polyether zoals een blokcopolymeer van polyoxyethylene en polyoxypropylene, polyoxyethylene of polyoxypropylene derivaat van een polyhydric alcohol en gemengde polyoxyethylene en polyoxypropylene derivaat van een polyhydric alcohol. Een aangewezen polyethersamenstelling is gemengd polyoxyethylene en polyoxypropylene een derivaat van glycerine. Een aangewezen koperbad bevat ook een derivaat van de pyridinesamenstelling.
