A method of etching a platinum electrode layer disposed on a substrate to
produce a semiconductor device including a plurality of electrodes
separated by a distance equal to or less than about 0.3 .mu.m and having a
platinum profile equal to or greater than about 85.degree.. The method
comprises heating the substrate to a temperature greater than about
150.degree. C., and etching the platinum electrode layer by employing a
high density inductively coupled plasma of an etchant gas comprising
chlorine, argon and a gas selected from the group consisting of BCl.sub.3,
HBr, and mixtures thereof. A semiconductor device having a substrate and a
plurality of platinum electrodes supported by the substrate. The platinum
electrodes have a dimension (e.g., a width) which include a value equal to
or less than about 0.3 .mu.m and a platinum profile equal to or greater
than about 85.degree..
Um método de gravar uma camada do elétrodo de platina dispôs em uma carcaça produzir um dispositivo de semicondutor including um plurality dos elétrodos separados uma distância igual a ou mais menos do que aproximadamente 0.3 mu.m e ter um perfil da platina igual a ou mais grande do que sobre 85.degree.. O método compreende aquecer a carcaça a uma temperatura mais grande do que sobre 150.degree. O C., e gravura a água-forte a camada do elétrodo de platina empregando uma densidade elevada acoplaram indutiva o plasma de um gás etchant que compreende o cloro, o argônio e um gás selecionado do grupo que consiste em BCl.sub.3, em HBr, e em misturas disso. Um dispositivo de semicondutor que tem uma carcaça e um plurality dos elétrodos de platina suportados pela carcaça. Os elétrodos de platina têm uma dimensão (por exemplo, uma largura) a que inclua um valor igual ou menos do que aproximadamente 0.3 mu.m e uma platina perfilam o igual a ou o mais grande do que sobre 85.degree..
