Peripheries of a contact 26 for connecting a polycrystalline silicon layer
20 to a pixel electrode 28 are cut by a laser to form a cut area 50. By
this cut area 50, the polycrystalline silicon layer 20 around the contact
26 is also cut. In consequence, a TFT 24 is separated from the pixel
electrode 28 and a supplemental capacitor electrode 32 to reliably
accomplish darkening.
Las periferias de un contacto 26 para conectar una capa polycrystalline 20 del silicio con un electrodo 28 del pixel son cortadas por un laser para formar un área 50 del corte. Por esta área 50 del corte, la capa polycrystalline 20 del silicio alrededor del contacto 26 también es cortada. En consecuencia, un TFT 24 se separa del electrodo 28 del pixel y de un electrodo suplemental 32 del condensador para lograr confiablemente obscurecer.
