In the present invention, conductive dummy patterns continuous in a
direction perpendicular to adjacent wiring patterns are inserted at a
first distance from the adjacent wiring patterns between the adjacent
wiring patterns extending in one direction, in an interconnection wiring
layer in an LSI. The insertion of such dummy patterns makes it possible to
suppress variations in the degree of pattern density in the
interconnection wiring layer and suppress variations in the pattern width
in the etching process. Furthermore, since the conductive dummy patterns
are continuous in the direction perpendicular to the adjacent wiring
patterns, the values of capacitance between the adjacent wiring patterns
in the same wiring layer assume a constant value corresponding to the
first distance, regardless of the distance between the adjacent wiring
patterns.
In de onderhavige uitvinding, worden de geleidende proefpatronen ononderbroken in een richtingsloodlijn aan aangrenzende bedradingspatronen opgenomen bij een eerste afstand van de aangrenzende bedradingspatronen tussen de aangrenzende bedradingspatronen die in één richting, in een interconnectie bedradingslaag in LSI uitbreiden zich. De toevoeging van dergelijke proefpatronen maakt het mogelijk om variaties in de graad van patroondichtheid in de interconnectie bedradingslaag te onderdrukken en variaties in de patroonbreedte in het etsproces te onderdrukken. Voorts aangezien de geleidende proefpatronen in de richtingsloodlijn aan de aangrenzende bedradingspatronen ononderbroken zijn, veronderstellen de waarden van capacitieve weerstand tussen de aangrenzende bedradingspatronen in de zelfde bedradingslaag een constante waarde die aan de eerste afstand, ongeacht de afstand tussen de aangrenzende bedradingspatronen beantwoordt.
