A method of fabricating trench power MOSFET is described. A first etching
step is performed on a substrate to form a plurality of trenches and the
substrate has a first doped region and a second doped region and serves as
a drain region. A gate oxide layer and a polysilicon layer are then
sequentially formed on the second doped region to create a gate region.
Subsequent performance of a second etching step utilizes a mask layer to
overlap the polysilicon layer. A portion of the second doped region is
exposed and the exposed portion defines a base region. The polysilicon
layer is etched to expose the gate oxide layer and the base region is
simultaneously etched to remove a portion of the second doped region to
expose the first doped region for forming an aligned source region. A
contact region in the source region is finally formed to fabricate the
trench power MOSFET.
Μια μέθοδος mosfet δύναμης τάφρων περιγράφεται. Ένα πρώτο βήμα χαρακτικής εκτελείται σε ένα υπόστρωμα για να διαμορφώσει μια πολλαπλότητα των τάφρων και το υπόστρωμα έχει μια πρώτη ναρκωμένη περιοχή και μια δεύτερη ναρκωμένη περιοχή και χρησιμεύει ως μια περιοχή αγωγών. Ένα στρώμα οξειδίων πυλών και ένα στρώμα πολυπυρίτιων έπειτα διαδοχικά διαμορφώνονται στη δεύτερη ναρκωμένη περιοχή για να δημιουργήσουν μια περιοχή πυλών. Η επόμενη απόδοση ενός δεύτερου βήματος χαρακτικής χρησιμοποιεί ένα στρώμα μασκών για να επικαλύψει το στρώμα πολυπυρίτιων. Μια μερίδα της δεύτερης ναρκωμένης περιοχής εκτίθεται και η εκτεθειμένη μερίδα καθορίζει μια περιοχή βάσεων. Το στρώμα πολυπυρίτιων χαράζεται για να εκθέσει το στρώμα οξειδίων πυλών και η περιοχή βάσεων χαράζεται ταυτόχρονα για να αφαιρέσει μια μερίδα της δεύτερης ναρκωμένης περιοχής για να εκθέσει την πρώτη ναρκωμένη περιοχή για τη διαμόρφωση μιας ευθυγραμμισμένης περιοχής πηγής. Μια περιοχή επαφών στην περιοχή πηγής διαμορφώνεται τελικά για να κατασκευάσει mosfet δύναμης τάφρων.
