Electronics for a shock-hardened device, in particular a data recorder,
incorporating non-volatile memory. The device has the functional elements:
a signal conditioning circuit, an oscillator, an analog-to-digital
converter (ADC), a field programmable gate array (FPGA), a trigger, and a
non-volatile memory incorporating both electrically erasable programmable
read only memory (EEPROM) and fast static random access memory (SRAM). As
a recorder, the electronics enable efficient and reliable data recording
in extreme shock environments, e.g., those involving dynamic testing of
weapons such as target penetrating bombs or dual-stage warheads. It also
provides for data retention upon loss or shutdown of power to the unit and
yields high MTBF (mean time between failure) figures in more benign
environments.
L'électronique pour un dispositif choquer-durci, en particulier un appareil d'enregistrement sur bande magnétique, mémoire non-volatile d'incorporation. Le dispositif a les éléments fonctionnels : un circuit de traitement de signal, un oscillateur, un convertisseur analogique-numérique (CDA), une rangée de porte programmable de champ (FPGA), un déclenchement, et une mémoire non-volatile incorporant tous les deux électriquement seulement mémoire lue programmable effaçable (EEPROM) et mémoire à accès sélective statique rapide (SRAM). Comme enregistreur, l'électronique permettent l'enregistrement de données efficace et fiable dans les environnements extrêmes de choc, par exemple, ceux qui comportent l'essai dynamique des armes telles que les bombes de cible ou les ogives pénétrantes d'duel-étape. Elle également prévoit la conservation de données sur la perte ou l'arrêt de la puissance à l'unité et rapporte les chiffres élevés de la moyenne des temps de bon fonctionnement (temps moyen entre l'échec) dans des environnements plus bénins.
