In a semiconductor laser for emitting light perpendicular to substrate
crystal, including, on the substrate crystal, an active layer for
generating light, a cavity structure sandwiching the active layer by
reflecting mirrors so as to obtain a laser beam from the light generated
from the active layer, and a regrown semiconductor layer between the
active layer and one of the reflecting mirrors, a regrown interface or a
face very close to the regrown interface is formed by a thin film
containing dopants of high concentration. With the configuration, an
adverse influence of a contamination deposit on the regrown interface is
eliminated by delta-doping the regrown interface. The cost is reduced and
device resistance is also reduced to 50 .OMEGA. or less. Thus, an edge
emitting laser (VCSEL) for realizing a optical module achieving a high
speed characteristic over 10 Gb/s is obtained.
Σε ένα λέιζερ ημιαγωγών για την εκπομπή της ελαφριάς καθέτου στο κρύσταλλο υποστρωμάτων, συμπεριλαμβανομένου, στο κρύσταλλο υποστρωμάτων, ενός ενεργού στρώματος για την παραγωγή του φωτός, μια δομή κοιλοτήτων που στριμώχνει το ενεργό στρώμα από τους καθρέφτες απεικόνισης ώστε να ληφθεί μια ακτίνα λέιζερ από το φως που παράγεται από το ενεργό στρώμα, και ένα στρώμα ημιαγωγών regrown μεταξύ του ενεργού στρώματος και ενός από τους καθρέφτες απεικόνισης, μια διεπαφή regrown ή ένα πρόσωπο πολύ κοντά στη διεπαφή regrown διαμορφώνεται από μια λεπτή ταινία που περιέχει τα υλικά πρόσμιξης της υψηλής συγκέντρωσης. Με τη διαμόρφωση, μια δυσμενής επιρροή μιας κατάθεσης μόλυνσης στη διεπαφή regrown αποβάλλεται με την του δέλτα-νάρκωση της διεπαφής regrown. Το κόστος μειώνεται και η αντίσταση συσκευών μειώνεται επίσης σε 50. OMEGA ή λιγότερο. Κατά συνέπεια, μια άκρη που εκπέμπει το λέιζερ (VCSEL) για την πραγματοποίηση μιας οπτικής ενότητας που επιτυγχάνει μια υψηλή ταχύτητα χαρακτηριστικά πάνω από 10 Gb/s λαμβάνεται.
