The semiconductor memory device of the present invention includes: an
interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate; a contact
plug formed to extend through the interlayer insulating film; and a
capacitor formed on the interlayer insulating film so that an electrode of
the capacitor is connected with the contact plug. The electrode has an
iridium oxide film as an oxygen barrier film. The average grain size of
granular crystals constituting the iridium oxide film is a half or less of
the thickness of the iridium oxide film.
Die Halbleiterspeichervorrichtung der anwesenden Erfindung schließt ein: ein isolierender Film der Zwischenlage bildete sich auf einem Halbleitersubstrat; ein Kontaktstecker bildete sich, um durch den isolierenden Film der Zwischenlage zu verlängern; und ein Kondensator bildete sich auf dem isolierenden Film der Zwischenlage, damit eine Elektrode des Kondensators mit dem Kontaktstecker angeschlossen wird. Die Elektrode hat einen Iridiumoxidfilm als Sauerstoffsperre Film. Die durchschnittliche Korngröße der granulierten Kristalle, die den Iridiumoxidfilm festsetzen, ist eine Hälfte oder kleiner der Stärke des Iridiumoxidfilmes.
