A semiconductor laser structure includes a substrate and an active region
having at least one active laser layer. The active region is included in a
ridge protruding from an exposed surface of the substrate. The ridge
extends in the direction of the laser cavity and includes at least two
opposed and electrically connected lateral extensions defining respective
metal bonding pads distributed along the length of the laser cavity.
Μια δομή λέιζερ ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα και μια ενεργό περιοχή που έχουν τουλάχιστον ένα ενεργό στρώμα λέιζερ. Η ενεργός περιοχή συμπεριλαμβάνεται σε μια κορυφογραμμή που προεξέχει από μια εκτεθειμένη επιφάνεια του υποστρώματος. Η κορυφογραμμή επεκτείνεται στην κατεύθυνση της κοιλότητας λέιζερ και τουλάχιστον δύο που αντιτάσσονται περιλαμβάνει και ηλεκτρικά συνδεδεμένες πλευρικές επεκτάσεις καθορίζοντας τα αντίστοιχα συνδέοντας μαξιλάρια μετάλλων που διανέμονται κατά μήκος του μήκους της κοιλότητας λέιζερ.
