Current perpendicular-to-the-plane structure spin valve magnetoresistive head

   
   

A current perpendicular-to-the-plane (CPP) structure spin valve magnetoresistive (MR) transducer includes an insulating layer. A pinned or free ferromagnetic layer serves to space or isolate the insulating layer from a non-magnetic spacer layer interposed between the pinned and free ferromagnetic layers. The sensing current is allowed to penetrate through the insulating layer. Fine pin-holes generally formed in the insulating layer are supposed to enable migration of electrons through the insulating layer. Similar to the situation in which the sensing current is allowed to flow through a reduced sectional area, a larger variation can be obtained in response to the inversion of the magnetization in the free ferromagnetic layer. The spin valve MR transducer is expected to greatly contribute to realization of a still higher recording density. Moreover, the spin valve MR transducer is also expected to exhibit an electric resistance approximately equal to a tenth part of that of a well-known tunnel junction magnetoresistive (TMR) element. Accordingly, a thermal noise can significantly be suppressed in the spin valve MR transducer as compared with the TMR element.

Un trasduttore magnetoresistente dell'perpendicolare-$$$-$$$-AEREO (CPP) della struttura della valvola corrente di rotazione (SIG.) include uno strato isolante. Appuntato o libera i serv ferromagnetici di strato per spaziare o isolare lo strato isolante da uno strato non magnetico del distanziatore interposto fra appuntato e per liberare gli strati ferromagnetici. La corrente di rilevamento è permessa penetrare con lo strato isolante. I fori di spillo fini hanno formato generalmente nello strato isolante sono supposti per permettere l'espansione degli elettroni con lo strato isolante. Simile alla situazione in cui la corrente di rilevamento è permessa attraversare una zona sezionale ridotta, una più grande variazione può essere ottenuta in risposta all'inversione della magnetizzazione nello strato ferromagnetico libero. Il SIG. trasduttore della valvola di rotazione si pensa che notevolmente contribuisca a realizzazione di più alta densità di registrazione ancora. Inoltre, il SIG. trasduttore della valvola di rotazione inoltre si pensa che esibisca una resistenza elettrica approssimativamente uguale ad una decima parte di quella di un elemento magnetoresistente della giunzione ben nota del traforo (TMR). Di conseguenza, un rumore termico può essere soppresso significativamente nel SIG. trasduttore della valvola di rotazione rispetto all'elemento di TMR.

 
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< CPP sensor with dual self-pinned AP pinned layer structures

< Perpendicular recording head with trackwidth defined by plating thickness

> Corrosion-resistant soft magnetic film, method of producing the same, thin film magnetic head using the same and method of manufacturing the thin film magnetic head

> Magnetoresistance effect film and device

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