Techniques of shallow trench isolation and devices produced therefrom are
provided. The techniques of shallow trench isolation utilize foamed
polymers, cured aerogels or air gaps as the insulation medium. Such
techniques facilitate lower dielectric constants than the standard silicon
dioxide due to the cells of gaseous components inherent in foamed
polymers, cured aerogels or air gaps. Lower dielectric constants reduce
capacitive coupling concerns and thus permit higher device density in an
integrated circuit device.
Le tecniche di isolamento poco profondo e dei dispositivi della trincea prodotti da ciò sono fornite. Le tecniche di isolamento poco profondo della trincea utilizzano i polimeri spumati, i aerogels curati o le lacune di aria come il mezzo dell'isolamento. Tali tecniche facilitano i costanti dielettrici più bassi che il diossido standard del silicone dovuto le cellule dei componenti gassosi inerenti a polimeri spumati, ai aerogels curati o alle lacune di aria. Abbassi i costanti dielettrici riducono le preoccupazioni dell'accoppiamento capacitivo e così consentono l'più alta densità del dispositivo in un dispositivo del circuito integrato.
