A method of growing a silicon carbide single crystal on a silicon carbide
seed crystal in an inert gas environment includes the step of raising the
seed crystal temperature to a growth temperature T.sub.seed and raising
the temperature of source material to a growth temperature T.sub.source
that is lower than T.sub.seed to define a thermal gradient therebetween.
The process also requires maintaining constant seed temperature and
constant source temperature throughout substantially the entire growth
period of the single crystal. The growth period begins when the seed
crystal and source material reach T.sub.seed and T.sub.source. Another
step requires changing only the pressure of the inert gas during the
growth period to control the growth rate of the crystal rather than
changing any temperatures to control the growth rate once growth of the
single crystal has started.
Un método de crecer cristal del carburo del silicio un solo en un cristal de semilla del carburo del silicio en un ambiente del gas inerte incluye el paso de levantar la temperatura del cristal de semilla a una temperatura T.sub.seed del crecimiento y de levantar la temperatura del material de fuente a una temperatura T.sub.source del crecimiento que sea más baja que T.sub.seed para definir un gradiente termal therebetween. El proceso también requiere temperatura constante de la semilla que mantiene y temperatura constante de la fuente a través substancialmente del período entero del crecimiento del solo cristal. El período del crecimiento comienza cuando el cristal de semilla y el material de fuente alcanzan T.sub.seed y T.sub.source. Otro paso requiere cambiar solamente la presión del gas inerte durante el período del crecimiento de controlar el índice de crecimiento del cristal más bien que cambiar cualquier temperatura para controlar la tarifa de crecimiento una vez que el crecimiento del solo cristal haya comenzado.
