An embodiment of the invention is a metal layer 14 of a back-end module 6
where the height of the interconnects 17 is greater than the height of the
dielectric regions 20. Another embodiment of the invention is a method of
fabricating a semiconductor wafer 4 where the height of the interconnects
17 is greater than the height of the dielectric regions 20.
Un metodo di realizzazione dell'invenzione è uno strato 14 del metallo di un modulo posteriore 6 dove l'altezza del collega 17 è più grande dell'altezza delle regioni dielettriche 20. Un altro metodo di realizzazione dell'invenzione è un metodo di fabbricare una cialda 4 a semiconduttore dove l'altezza del collega 17 è più grande dell'altezza delle regioni dielettriche 20.
