The present invention concerns the improvement of the supercurrent carrying
capabilities, i.e. the increase of critical current densities, of
bicrystalline or polycrystalline superconductor structures, especially of
high-T.sub.c superconductors. By providing an appropriate predetermined
dopant profile across the superconductor structure, in particular within
or in the vicinity of the grain boundaries, the space-charge layers at the
grain boundaries are reduced and thereby the current transport properties
of the superconductor significantly improved. Simultaneously, the
influence of magnetic fields on the critical current densities is
significantly reduced, which in turn enhances the overall supercurrent
carrying capabilities while keeping the supercurrent transport properties
of the grains at good values.
Присытствыющий вымысел относится улучшение supercurrent возможностей нося, т.е. увеличение критически текущих плотностей, bicrystalline или поликристаллических структур superconductor, специально superconductors high-T.sub.c. Путем обеспечивать соотвествующий предопределенный профиль dopant через структуру superconductor, в частности в пределах или в близости границ зерна, космос-porucite слои на границах зерна уменьшите и таким образом в настоящее время свойства перехода superconductor значительно улучшены. Одновременно, влияние магнитных полей на критически текущих плотностях значительно уменьшено, которое в свою очередь увеличивает общие supercurrent возможности нося пока держащ supercurrent свойства перехода зерен на хороших значениях.
