Nanocrystals (22) are formed in a semiconductor, such as for example, in a
memory having a floating gate. A dielectric (18) overlies a substrate (12)
and is placed in a chemical vapor deposition chamber (34). A first
precursor gas, such as disilane (36), is flowed into the chemical vapor
deposition chamber during a first phase to nucleate the nanocrystals (22)
on the dielectric with first predetermined processing conditions existing
within the chemical vapor deposition chamber for a first time period. A
second precursor gas, such as silane, is flowed into the chemical vapor
deposition chamber during a second phase subsequent to the first phase to
grow the nanocrystals under second predetermined processing conditions
existing within the chemical vapor deposition chamber for a second time
period.
Nanocrystals (22) se forma en un semiconductor, como por ejemplo, en una memoria que tiene una puerta flotante. Un (18) dieléctrico cubre un substrato (12) y se coloca en un compartimiento de la deposición de vapor químico (34). Un primer gas del precursor, tal como disilane (36), se fluye en el compartimiento de la deposición de vapor químico durante una primera fase al nucleate los nanocrystals (22) en el dieléctrico con las condiciones de proceso primero predeterminadas que existen dentro del compartimiento de la deposición de vapor químico por un período de la primera vez. Un segundo gas del precursor, tal como silane, se fluye en el compartimiento de la deposición de vapor químico durante una segunda fase subsecuente a la primera fase para crecer los nanocrystals bajo segundas condiciones de proceso predeterminadas que existen dentro del compartimiento de la deposición de vapor químico por un período de la segunda vez.
