The soft error rate in a semiconductor memory is improved via the use of a
circuit and arrangement adapted to use a mirror bit to recover from a soft
error. According to an example embodiment of the present invention, a
semiconductor device includes first and mirror memory cells configured and
arranged to receive and store a same bit in response to a write operation,
with the memory cells more susceptible to a bit error in which the stored
bit changes from a first state to a second state than to a change from the
second state into the first state. The memory cells are separated by a
distance that is sufficient to make the likelihood of both memory cells
being upset by a same source very low. For a read operation, the bits
stored at the fist and second memory cells are compared. If the bits are
the same, the bit from the first and/or mirror bit is read out, and if the
bits are different, a bit corresponding to the more susceptible state is
read out. In this manner, soft errors can be overcome.
La tarifa del error de programa en una memoria de semiconductor se mejora vía el uso de un circuito y de un arreglo adaptados para utilizar un pedacito del espejo para recuperarse de un error de programa. Según una encarnación del ejemplo de la actual invención, un dispositivo de semiconductor incluye primero y las células de memoria del espejo configuradas y dispuestas para recibir y para almacenar un mismo pedacito en respuesta a una operación del escribir, con las células de memoria más susceptibles a un error de pedacito en el cual el pedacito almacenado cambie de un primer estado a un segundo estado que a un cambio del segundo estado en el primer estado. Las células de memoria son separadas por una distancia que sea suficiente hacer la probabilidad de ambas células de memoria que son trastornadas por una misma fuente muy baja. Para una operación leída, los pedacitos almacenados en el puño y las segundas células de memoria se comparan. Si los pedacitos son iguales, el pedacito del primer y/o el pedacito del espejo se lee hacia fuera, y si los pedacitos son diferentes, un pedacito que corresponde al estado más susceptible se lee hacia fuera. De este modo, los errores de programa pueden ser superados.
