Distributed bragg reflector laser and fabrication method

   
   

A distributed Bragg reflector laser is fabricated wherein material defects are produced in the laser's tuning waveguide region. The defects may be created by introducing impurities into the region. The defects increase the non-radiative recombination rate of injected carriers, thereby decreasing FM efficiency and improving RF performance. Injected carrier electrons are substantially separated from injected carrier holes to reduce bimolecular and Auger recombination rates, thus improving tuning range.

Ένα διανεμημένο λέιζερ ανακλαστήρων Bragg κατασκευάζεται όπου οι υλικές ατέλειες παράγονται στη συντονίζοντας περιοχή κυματοδηγού του λέιζερ. Οι ατέλειες μπορούν να δημιουργηθούν με την εισαγωγή των ακαθαρσιών στην περιοχή. Οι ατέλειες αυξάνουν το μη-της ακτινοβολίας ποσοστό επανασυνδυασμού εγχεθμένων μεταφορέων, με αυτόν τον τρόπο μειωμένος αποδοτικότητα FM και βελτίωση της απόδοσης RF. Τα εγχεθμένα ηλεκτρόνια μεταφορέων είναι ουσιαστικά χωρισμένα από τις εγχεθμένες τρύπες μεταφορέων για να μειώσουν τα ποσοστά διμοριακού και επανασυνδυασμού τρυπανιών, βελτιώνοντας κατά συνέπεια τη συντονίζοντας σειρά.

 
Web www.patentalert.com

< Method of controlling hardening with laser beam and laser beam hardening device

< Laser plasma X-ray generating apparatus

> Control and calibration of laser systems

> Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

~ 00128