A method for the self-calibration of a tunable, diode pumped solid state
laser in which the frequency or the wavelength of the laser radiation of
the fundamental frequency and/or doubled frequency is changed by of
changing the optical cavity length by means of a piezo-actuator or
Brewster window over the total amplification bandwidth of the laser-active
material. According to the method, the performance curves during the
tuning of an etalon or corresponding optical elements arranged in the
cavity are recorded and stored and a tuning function for the respective
optical element or optical elements is generated (derived) from these
curves by a microcontroller or computer. An optimum working point for the
optical element or optical elements for maximum suppression of side modes
is adjusted by a digital or analog regulator with the help of a learning
curve (learning characteristic). In the solid state laser, an etalon is
provided inside the cavity for changing (expanding) the tuning range and
for determining the output power of the laser, wherein the etalon is
rotatable or swivelable about an axis of rotation which extends at right
angles to the optical axis of the laser or so as to be inclined relative
to the latter by a small angle.
Метод для собственн-tarirovki tunable, диод нагнел полупроводниковый лазер в котором частота или длина волны радиации лазера основной частоты and/or удвоинной частоты изменены мимо изменять оптически длину полости посредством пиезо-privoda или окна Brewster над полной шириной полосы частот амплификации лазер-aktivno материала. Согласно методу, записаны рабочая характеристика во время настраивать etalon или соответствуя оптически элементы аранжированные в полости и после того как я сохранила и настраивая функция для соответственно оптически элемента или оптически элементов произведена (выведено) от этих кривых microcontroller или компьютером. Оптимальный работая пункт для оптически элемента или оптически элементов для максимального подавления бортовых режимов отрегулирован цифровым или сетноым-аналогов регулятором with the help of криваяа освоения (учя характеристика). В полупроводниковом лазере, etalon обеспечено внутри полости для изменять (расширять) настраивая ряд и для обусловливать мощность на выходе лазера, при котором etalon ротатабельно или swivelable о оси вращения которое удлиняет под прямым углом к оптически оси лазера или быть inclined по отношению к последнему малым углом.
