The present invention provides a magnetic head having improved
characteristics, using a magnetoresistive device in which current flows
across the film plane such as a TMR device. In a first magnetic head of
the present invention, when the area of a non-magnetic layer is defined as
a device cross-section area, and the area of a yoke is defined as a yoke
area, viewed along the direction perpendicular to the surface of the
substrate over which the yoke and the magnetoresistive device are formed,
then the device cross-section area is not less than 30% of the yoke area,
so that a resistance increase of the device cross-section area is
suppressed. In a second magnetic head of the present invention, a
magnetoresistive device is formed on a substrate, and a yoke is provided
above a non-magnetic layer constituting the device. In a third magnetic
head of the present invention, the free layer of the magnetoresistive
device includes at least two magnetic films and at least one non-magnetic
film that are laminated alternately, and the thickness of the non-magnetic
layer is not less than 2 nm and not more than 10 nm, and magnetostatic
coupling is dominant. In a fourth magnetic head of the present invention,
a magnetic gap is provided adjacent to the magnetoresistive device and the
magnetic films are coupled antiferromagnetically.
Присытствыющий вымысел обеспечивает магнитную головку улучшая характеристики, использующ магниторезистивное приспособление в котором в настоящее время подачи через плоскость пленки such as приспособление TMR. В первой магнитной головке присытствыющего вымысла, когда зона немагнитного слоя определена как зона приспособления cross-section, и зоне хомута определяет как зона хомута, осмотренная вдоль перпендикуляра направления к поверхности субстрата над которым сформированы хомут и магниторезистивное приспособление, после этого приспособления cross-section, котор область не меньш чем 30% из зоны хомута, так, что будет подавлено увеличение сопротивления зоны приспособления cross-section. В второй магнитной головке присытствыющего вымысла, магниторезистивное приспособление сформировано на субстрате, и хомут обеспечен над немагнитным слоем образовывая приспособление. В третью магнитную головку присытствыющего вымысла, свободно слой магниторезистивного приспособления вклюает по крайней мере 2 магнитных пленки и по крайней мере одну немагнитной пленку которая прокатаны друг, и толщина немагнитного слоя не меньш чем 2 nm и больше чем 10 nm, и магнитостатическое соединение доминантно. В четвертой магнитной головке присытствыющего вымысла, магнитный зазор обеспечен за магниторезистивным приспособлением и магнитные пленки соединены antiferromagnetically.
