The present invention is a semiconductor structure for light emitting
devices that can emit in the red to ultraviolet portion of the
electromagnetic spectrum. The semiconductor structure includes a first
cladding layer of a Group III nitride, a second cladding layer of a Group
III nitride, and an active layer of a Group III nitride that is positioned
between the first and second cladding layers, and whose bandgap is smaller
than the respective bandgaps of the first and second cladding layers. The
semiconductor structure is characterized by the absence of gallium in one
or more of these structural layers.
La présente invention est une structure de semi-conducteur pour la lumière émettant les dispositifs qui peuvent émettre dans le rouge à la partie ultra-violette du spectre électromagnétique. La structure de semi-conducteur inclut une première couche de revêtement d'une nitrure du groupe III, une deuxième couche de revêtement d'une nitrure du groupe III, et une couche active d'une nitrure du groupe III qui est placée entre les premières et deuxièmes couches de revêtement, et dont le bandgap est plus petit que les bandgaps respectifs des premières et deuxièmes couches de revêtement. La structure de semi-conducteur est caractérisée par l'absence du gallium dans un ou plusieurs de ces couches structurales.
