An apparatus and fabrication process for a capacitor formed in conjunction
with a dual damascene process. A bottom capacitor plate is electrically
connected to an overlying first conductive via formed according to the
dual damascene process. A top capacitor plate is connected to an overlying
second conductive via. A dielectric material is disposed between the top
and the bottom plates. The capacitor is formed by successively forming the
bottom plate, the dielectric layer, and the top plate, patterning these
layers as required after their formation. The first conductive via is
formed over and electrically connected to the bottom plate and the second
conductive via is formed over and connected to the top capacitor plate
thereby providing for interconnection of the capacitor to other circuit
elements by way of the dual damascene conductive runners connected to the
conductive vias.
Ein Apparat und ein Herstellung Prozeß für einen Kondensator bildeten sich in Verbindung mit einem damascene Verdoppelungprozeß. Eine untere Kondensatorplatte wird elektrisch an leitendes über gebildet entsprechend dem damascene Verdoppelungprozeß zuerst überlagern angeschlossen. Eine obere Kondensatorplatte wird an ein Überlagern an zweiter Stelle leitendes über angeschlossen. Ein dielektrisches Material wird zwischen der Oberseite und den unteren Platten abgeschaffen. Der Kondensator wird gebildet, indem man mehrmals hintereinander die untere Platte, die dielektrische Schicht und die obere Platte bildet, patterning diese Schichten wir erforderlich nach ihrer Anordnung. Das erste leitende über wird rüber gebildet und elektrisch angeschlossen an die untere Platte und das zweite leitende über wird rüber gebildet und angeschlossen an die obere Kondensatorplatte, die dadurch für Verbindung des Kondensators zu anderen Schaltkreiselementen über die damascene leitenden Verdoppelungläufer bereitstellt, die an die leitenden vias angeschlossen werden.
