A method for processing a substrate comprising depositing a dielectric
layer comprising silicon, oxygen, and carbon on the substrate by chemical
vapor deposition, wherein the dielectric layer has a carbon content of at
least 1% by atomic weight and a dielectric constant of less than about 3,
and depositing a silicon and carbon containing layer on the dielectric
layer. The dielectric constant of a dielectric layer deposited by reaction
of an organosilicon compound having three or more methyl groups is
significantly reduced by further depositing an amorphous hydrogenated
silicon carbide layer by reaction of an alkylsilane in a plasma of a
relatively inert gas.
Метод для обрабатывать субстрат состоя из депозирующ диэлектрический слой состоя из кремния, кислорода, и углерода на субстрате низложением химически пара, при котором диэлектрический слой имеет содержание углерода по крайней мере 1% атомным весом и диэлектрическую константу меньш чем около 3, и депозируя кремний и углерод содержа слой на диэлектрическом слое. Диэлектрическая константа диэлектрического слоя депозированного реакцией смеси organosilicon имея 3 или более метилового группы значительно уменьшена более далее депозировать аморфический наполненный водородом слой карбида кремния реакцией alkylsilane в плазме относительно инертного газа.
