A magnetic random access memory (MRAM) circuit block and access method
thereof are disclosed herein which includes a circuit for sensing a data
write current passing through a bitline 32 and, for generating a stop
signal for stopping a data write current supply to the bitline 32 and a
write wordline 30 after data is written in an magnetic tunnel junction
(MTJ) element 44. Further, when data to be written to the storage element
is the same as the data already stored therein, no write current is
supplied to the write wordline 30, thereby saving power.
Een magnetische van de de kringsblok en toegang van het directe toeganggeheugen (MRAM) methode wordt daarvan onthuld die een kring omvat voor hierin ontdekkend een gegeven stroom schrijf die door een bitline 32 overgaat en, voor het produceren van een eindesignaal voor het tegenhouden van een gegeven schrijf huidige levering aan bitline 32 en schrijf wordline 30 nadat het gegeven in een element 44, magnetisch van de tunnelverbinding (MTJ) wordt geschreven, wanneer gegevens om aan het opslagelement de worden geschreven het zelfde als de daarin reeds opgeslagen gegevens zijn, geen verder schrijven de stroom wordt geleverd aan schrijft wordline 30, daardoor besparingsmacht.
