Standard cell, standard cell array, and system and method for placing and routing standard cells

   
   

In a placement and routing for a standard cell type LSI design, each standard cell comprises a VDD power supply terminal formed of a P-type diffused layer, a VSS power supply terminal formed of an N-type diffused layer, and an input terminal and an output terminal formed of a first level metal. A plurality of standard cells are located to form a standard cell array, and VDD and VSS power supply lines formed of the first level metal are located to extend along opposite sides of the standard cell array, respectively. For connecting the power supply terminal of the standard cell to the power supply line of the first level metal, a power supply line formed of the diffused layer is extended from the power supply terminal to the power supply line of the first level metal, and a contact bole is formed at an overlapping portion between the power supply line of the first level metal and power supply line formed of the diffused layer. Thus, it is possible to place and route standard cells having different widths with no hindrance, and it is also possible to form an inter-cell connection in the device formation region between the power supply line and the wiring area within the cell. In addition, it is possible to set the width of the power supply line of the first level metal to an appropriate width for each standard cell array.

Dans un placement et un cheminement pour un type standard conception de cellules de LSI, chaque cellule standard comporte une borne d'alimentation d'énergie de VDD constituée d'un P-type couche diffuse, une borne d'alimentation d'énergie de VSS constituée d'un N-type couche diffuse, et une borne d'entrée et une borne de rendement constituée d'un premier métal de niveau. Une pluralité de cellules standard sont localisées pour former une rangée standard de cellules, et des lignes d'alimentation d'énergie de VDD et de VSS constituées du premier métal de niveau sont localisées pour se prolonger le long des côtés opposés de la rangée standard de cellules, respectivement. Pour relier la borne d'alimentation d'énergie de la cellule standard à la ligne d'alimentation d'énergie du premier métal de niveau, une ligne d'alimentation d'énergie constituée de la couche diffuse est prolongée de la borne d'alimentation d'énergie à la ligne d'alimentation d'énergie du premier métal de niveau, et un tronc de contact est formé à une partie de recouvrement entre la ligne d'alimentation d'énergie du premier métal de niveau et la ligne d'alimentation d'énergie constituée de la couche diffuse. Ainsi, il est possible de placer et conduire les cellules standard ayant différentes largeurs sans l'obstacle, et il est également possible de former un raccordement d'inter-cellule dans la région de formation de dispositif entre la ligne d'alimentation d'énergie et le secteur de câblage dans la cellule. En outre, il est possible de placer la largeur de la ligne d'alimentation d'énergie du premier métal de niveau à une largeur appropriée pour chaque rangée standard de cellules.

 
Web www.patentalert.com

< Active ion-doped waveguide-plasmon resonance sensor based on upconversion of active ions and imaging system using the same

< Loudspeaker coil suspension system

> Ruthenium as non-magnetic seedlayer for electrodeposition

> Slider of thin-film magnetic head

~ 00129