A voltage generation section, which generates voltages for driving the
control gates in a plurality of nonvolatile memory cells, has a booster
circuit and a voltage control circuit. The voltage control circuit has a
plurality of voltage output terminals, and switches and outputs a
plurality of voltages inputted from the booster circuit to a plurality of
voltage output terminals in accordance with a selection state of the
nonvolatile memory cell. The voltage control circuit pre-drives a control
gate line by outputting a maximum voltage among the voltages to all of the
voltage output terminals in a pre-drive period. A disconnection state, in
which no voltage from the booster circuit is outputted, is set in a period
prior to the pre-drive period, and a power supply voltage may be outputted
instead of the voltage from the booster circuit.
Une section de génération de tension, qui produit des tensions pour conduire les portes de commande dans une pluralité de cellules de mémoire non-volatile, a un circuit de propulseur et un circuit de commande de tension. Le circuit de commande de tension a une pluralité de bornes de rendement de tension, et de commutateurs et produit une pluralité de tensions entrées du circuit de propulseur dans une pluralité de bornes de rendement de tension selon un état de choix de la cellule de mémoire non-volatile. Le circuit de commande de tension pré-conduit une ligne de porte de commande en produisant une tension maximum parmi les tensions à toutes les bornes de rendement de tension dans pré-conduisent la période. Un état de débranchage, dans lequel aucune tension du circuit de propulseur n'est outputted, est placé dans une période avant pré-conduisent la période, et une tension d'alimentation d'énergie peut être outputted au lieu de la tension du circuit de propulseur.
