A method is provided for forming an improved interconnect structure on a
semiconductor body. A first metal layer is deposited on the semiconductor
body. A sacrificial layer having a height is deposited on the first metal
layer. The sacrificial layer and the metal layer are patterned to form
separate metal lines with the sacrificial layer remaining on said metal
lines. A look material is then deposited to fill the gaps bet n metal
lines and to cover the sacrificial layer. The low-k material is then
removed to a level within the height of the sacrificial layer. The
sacrificial layer is then removed. A prove layer is deposited on top of
the metal lines and the look material. A dielectric layer is deposited
over the protective layer. The protective layer protects the low-k
material from attack by chemicals utilized by subsequent process steps to
etch vias in the dielectric layer, to strip photoresist, and to clean the
vias. The protective layer is then selectively etched away to make contact
between a via plug and the metal lines.
Un método se proporciona para formar una estructura mejorada de la interconexión en un cuerpo del semiconductor. Una primera capa del metal se deposita en el cuerpo del semiconductor. Una capa sacrificatoria que tiene una altura se deposita en la primera capa del metal. La capa sacrificatoria y la capa del metal están modeladas para formar líneas separadas del metal con la capa sacrificatoria restante en las líneas dichas del metal. Un material de la mirada entonces se deposita para llenar las líneas del metal de la apuesta n de los boquetes y para cubrir la capa sacrificatoria. El material bajo-k entonces se quita a un nivel dentro de la altura de la capa sacrificatoria. La capa sacrificatoria entonces se quita. Una capa del probar se deposita encima de las líneas del metal y del material de la mirada. Una capa dieléctrica se deposita sobre la capa protectora. La capa protectora protege el material bajo-k contra ataque por los productos químicos utilizados por pasos de proceso subsecuentes a los vias del grabado de pistas en la capa dieléctrica, para pelar photoresist, y para limpiar los vias. La capa protectora entonces se graba al agua fuerte selectivamente lejos para hacer el contacto entre a vía el enchufe y las líneas del metal.
