Disclosed is a process of treating semiconductor substrates, including the
production of pure water, a method of producing the pure water for
semiconductor fabrication, and a water-producing apparatus. Ammonia is
catalytically oxidized in a catalytic conversion reactor to form pure
water. The water is then supplied to a semiconductor fabrication process.
The water-producing apparatus comprises a housing surrounding a catalytic
material for adsorbing ammonia, an ammonia and oxidant source, each in
communication with the housing, and an outlet for reaction products. The
outlet is connected to a semiconductor processing apparatus. According to
preferred embodiments of the invention, the apparatus can be a catalytic
tube reactor, a fixed bed reactor or a fluidized bed reactor. This process
and apparatus allows the quantity of unreacted excess oxidant to be
limited, preventing undesired oxidation of low oxidation resistant metal
gate electrodes during semiconductor fabrication processes, such as during
wet oxidation processes like source/drain reoxidation. At the same time,
the use of ammonia reactants lessens the risk of dangerous explosions and
excessive boron diffusion while fabricating surface p-channel
semiconductor devices.
Gegeben ein Prozeß des Behandelns der Halbleitersubstrate, einschließlich die Produktion des reinen Wassers, der Methode des Produzierens des reinen Wassers für Halbleiterherstellung und des Wasser-produzierenden Apparates frei. Ammoniak wird katalytisch in einem katalytischen Umwandlung Reaktor zum reinen Wasser der Form oxidiert. Das Wasser wird dann an einen Halbleiterherstellung Prozeß geliefert. Der Wasser-produzierende Apparat enthält ein Gehäuse, das ein katalytisches Material für kondensierendes Ammoniak, eine Ammoniak- und Oxydationsmittelquelle, jede in der Kommunikation mit dem Gehäuse und ein Anschluß für Reaktion Produkte umgibt. Der Anschluß wird an einen Halbleiter angeschlossen, der Apparat verarbeitet. Entsprechend bevorzugten Verkörperungen der Erfindung, kann der Apparat ein katalytischer Schlauchreaktor, ein örtlich festgelegter Bettreaktor oder ein Flüssigbettreaktor sein. Dieser Prozeß und Apparat erlaubt, daß die Quantität des ohne Reaktion überschüssigen Oxydationsmittels begrenzt wird und unerwünschte Oxidation niedrige Oxidation der beständigen Metallgate-Elektroden während der Halbleiterherstellung Prozesse, wie während nasse Oxidation Prozesse wie source/drain Rückoxydation verhindert. Gleichzeitig vermindert der Gebrauch der Ammoniakreaktionsmittel die Gefahr der gefährlichen Explosionen und der übermäßigen Bordiffusion (Zerstäubung) beim Fabrizieren der OberflächenPführung Halbleiterelemente.
