A semiconductor optical component is disclosed which comprises a current
injection region and at least one electrically isolated region referred to
as a first plateau, each region containing a contact layer of an alloy
based on gallium arsenide, GaAs, deposited on a semiconductor material
upper confinement layer. The component further comprises in the first
plateau a dielectric material isolation layer on top of the contact layer.
An attachment layer is disposed between the contact layer and the
isolation layer to increase the adhesion of the isolation layer to the
contact layer. A method of fabricating the above kind of component is also
disclosed.
Показан компонент полупроводника оптически состоит из в настоящее время зоны впрыски и по крайней мере одной электрически изолированной зоны названных первое плато, каждая зона содержа слой сплава основанного на арсениде галлия, gaAs контакта, депозированный на слое удерживания полупроводника материальном верхнем. Компонент более дальнейший состоит из в первом плате слой изоляции диэлектрика материальный on top of слой контакта. Слой приложения размещан между слоем контакта и слоем изоляции для того чтобы увеличить прилипание слоя изоляции к слою контакта. Метод изготовлять вышеуказанный вид компонента также показан.
