The present invention relates to a gas insulated gate field effect
transistor and a fabricating method thereof which provides an improved
insulator between the gate and the source-drain channel of a field effect
transistor. The insulator is a vacuum or a gas filled trench. As compared
to a conventional MOSFET, the gas insulated gate device provides reduced
capacitance between the gate and the source/drain region, improved device
reliability and durability, and improved isolation from interference
caused by nearby electric fields. The present invention includes the steps
of forming a doped source region and drain region on a substrate, forming
a gate, forming a gaseous gate insulating trench and forming terminals
upon the gate, the source region and the drain region. A plurality of the
devices on a single substrate may be combined to form an integrated
circuit.
La presente invenzione riguarda un transistore di effetto isolato gas del giacimento del cancello e un metodo fabbricante di ciò che fornisce un isolante migliorato fra il cancello e fonte-vuota la scanalatura di un transistore di effetto di campo. L'isolante è un vuoto o una trincea riempita gas. Rispetto ad un MOSFET convenzionale, il gas dispositivo isolato del cancello fornisce la capacità ridotta fra il cancello e la regione di source/drain, l'affidabilità e la durevolezza migliorata del dispositivo e l'isolamento migliorato da interferenza causata ai dai campi elettrici vicini. La presente invenzione include i punti di formare una regione verniciata di fonte e la regione dello scolo su un substrato, formando un cancello, formante una trincea isolante del cancello gassoso e formante i terminali sul cancello, la regione di fonte e la regione dello scolo. Una pluralità dei dispositivi su un singolo substrato può essere unita per formare un circuito integrato.
