A spin valve sensor with insulating and conductive seed layers is provided.
The sensor comprising Al.sub.2 O.sub.3
/Ni--Cr--Fe/Ni--Fe/Co--Fe/Cu/Co--Fe/Ru/Co--Fe/Pt--Mn films is formed by
depositing an insulating Al.sub.2 O.sub.3 seed layer in a first chamber by
reactively pulsed DC magnetron sputtering, depositing a conducting
Ni--Cr--Fe seed layer and a ferromagnetic Ni--Fe free layer in a second
chamber by ion beam sputtering, and then forming the remainder of the spin
valve sensor in a third chamber by DC magnetron sputtering.
Un sensore della valvola di rotazione con isolare e gli strati conduttivi del seme è fornito. Il sensore che contiene Al.sub.2 O.sub.3 /Ni -- Cr -- Fe/Ni -- Fe/Co -- Fe/Cu/Co -- Fe/Ru/Co -- Fe/Pt -- pellicole del manganese è costituito dal depositare uno strato isolante del seme di Al.sub.2 O.sub.3 in un primo alloggiamento dal magnetron reattivo pulsato di CC che polverizza, depositando un Ni di condotta -- Cr -- strato del seme del Fe e un Ni ferromagnetico -- Fe fa uno strato di liberamente in un secondo alloggiamento dal fascio ionico che polverizza ed allora formante il resto del sensore della valvola di rotazione in un terzo alloggiamento polverizzando del magnetron della DC.
