A semiconductor device includes an AlGaN film formed on a GaN film on a
substrate, a gate electrode formed on the AlGaN film, and source and drain
electrodes formed on either side of the gate electrode on the AlGaN film.
An n-type In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.1-x-y N film is interposed between the
source and drain electrodes and the AlGaN film. Alternatively, the
semiconductor device includes an n-type In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.1-x-y N
film formed on a GaN film on a substrate, a gate electrode formed on the
In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.1-x-y N film, and source and drain electrodes
formed on either side of the gate electrode on the In.sub.x Ga.sub.y
Al.sub.1-x-y N film.
Un dispositif de semi-conducteur inclut un film d'AlGaN formé sur un film de GaN sur un substrat, une électrode de porte formée sur le film d'AlGaN, et des électrodes de source et de drain formées de chaque côté de l'électrode de porte sur le film d'AlGaN. Un n-type film d'In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.1-x-y N est interposé entre les électrodes de source et de drain et le film d'AlGaN. Alternativement, le dispositif de semi-conducteur inclut un n-type film d'In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.1-x-y N formé sur un film de GaN sur un substrat, une électrode de porte formée sur le film d'In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.1-x-y N, et des électrodes de source et de drain formées de chaque côté de l'électrode de porte sur le film d'In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.1-x-y N.
