A semiconductor device includes an SOI substrate, trench memory cells
including trench capacitors formed in the SOI substrate and a mesa or
trench isolation region for isolating the trench memory cells. As a
result, the trench memory cells are isolated more completely and soft
errors are reduced.
Ein Halbleiterelement schließt ein SOI Substrat, Grabenspeicherzellen einschließlich die Grabenkondensatoren ein, die im SOI Substrat gebildet werden und ein MESA oder eine Grabenlokalisierung Region für das Lokalisieren der Grabenspeicherzellen. Infolgedessen werden die Grabenspeicherzellen vollständig lokalisiert und Minoritätsfehler werden verringert.
