A laser illumination apparatus for illuminating a semiconductor film with a
linear laser beam while scanning the semiconductor film with the linear
laser beam. An optical system generates a linear laser beam having a beam
width W by dividing a pulse laser beam that is emitted from a pulsed laser
light source into a plurality of beams vertically and horizontally, and
combines divisional beams after they have been processed into a linear
shape individually. A mechanism is provided to move a substrate that is
mounted with the semiconductor film. A condition
W/20.ltoreq..DELTA.(r).ltoreq.x.ltoreq.W/5 or
.DELTA.(r).ltoreq.W/20.ltoreq.x.ltoreq.W/5 is satisfied, where r is a
height difference of the surface of the semiconductor film, .DELTA.(r) is
a variation amount of the beam width W as a function of the height
difference r, and x is a movement distance of the substrate during an
oscillation period of the pulsed laser light source.
Un'apparecchiatura di illuminazione del laser per illuminare una pellicola a semiconduttore con un fascio laser lineare mentre esplorando la pellicola a semiconduttore con il fascio laser lineare. Un sistema ottico genera un fascio laser lineare che ha una larghezza W del fascio dividendo un fascio laser di impulso che è emesso verticalmente ed orizzontalmente da una fonte di luce pulsata del laser in una pluralità di fasci ed i fasci divisionari dei combines dopo che siano stati trasformati individualmente in una figura lineare. Un meccanismo è fornito per spostare un substrato che è montato con la pellicola a semiconduttore. Una condizione W/20.ltoreq..DELTA.(r).ltoreq.x.ltoreq.W/5 o il DELTA.(r).ltoreq.W/20.ltoreq.x.ltoreq.W/5 è soddisfatta, dove la r è una differenza di altezza della superficie della pellicola a semiconduttore, DELTA.(r) È una quantità di variazione della larghezza W del fascio in funzione della differenza r di altezza e la x è una distanza del movimento del substrato durante il periodo di oscillazione della fonte di luce pulsata del laser.
