By a solder bump, a CSP is bonded to a first electrode of the module
substrate of a multi-chip module. For this solder bump, a solder added
with an alkaline earth metal such as Ba, Be, Ca or Mg is used.
Accordingly, upon solder reflow, phosphorous (P) reacts with the alkaline
earth metal, thereby forming a P compound. Owing to dispersion of this P
compound inside of the solder bump, no P concentrated layer is formed on
the Ni film, making it possible to prevent peeling of the solder bump from
the first electrode upon solder reflow. Thus, the present invention makes
it possible to improve the solder bonding property.
Από μια πρόσκρουση ύλης συγκολλήσεως, ένα CSP συνδέεται με ένα πρώτο ηλεκτρόδιο του υποστρώματος ενότητας μιας ενότητας πολυ-τσιπ. Για αυτήν την πρόσκρουση ύλης συγκολλήσεως, μια ύλη συγκολλήσεως που προστίθεται με ένα μέταλλο αλκαλικής γης όπως το BA, είναι, το ασβέστιο ή το MG χρησιμοποιείται. Συνεπώς, επάνω στην επανακυκλοφορία ύλης συγκολλήσεως, φωσφορούχο (P) αντιδρά με το μέταλλο αλκαλικής γης, με αυτόν τον τρόπο σχηματίζοντας την ένωση A.P.. Εξ αιτίας της διασποράς αυτής της ένωσης π μέσα της πρόσκρουσης ύλης συγκολλήσεως, κανένα συγκεντρωμένο π στρώμα δεν διαμορφώνεται στην ταινία Νι, καθιστώντας το πιθανό να αποτρέψει την αποφλοίωση της πρόσκρουσης ύλης συγκολλήσεως από το πρώτο ηλεκτρόδιο επάνω στην επανακυκλοφορία ύλης συγκολλήσεως. Κατά συνέπεια, η παρούσα εφεύρεση το καθιστά πιθανό να βελτιώσει τη συνδέοντας ιδιοκτησία ύλης συγκολλήσεως.
