Semiconductor laser device

   
   

An n-InP second upper cladding layer is laid on a p-InP lower cladding layer while an active layer having upper and lower boundary surfaces that are uniformly flat in an optical waveguide direction is interposed therebetween. A diffraction layer having a phase-shifted structure in the optical waveguide direction is interposed between the lower cladding layer and the active layer or between the second upper cladding layer and the active layer. The length L of the diffraction grating layer in the direction of the optical waveguide is L.ltoreq.260 .mu.m; a mean coupling factor .kappa. of a diffraction grating layer is .kappa..gtoreq.150 cm.sup.-1 ; and .kappa.L satisfies 5.6>.kappa.L>3.0.

Une couche en second lieu supérieure du revêtement n-INP est étendue sur plus bas une couche du revêtement p-INP tandis qu'une couche active ayant des surfaces supérieures et inférieures de frontière qui sont uniformément plates dans une direction optique de guide d'ondes est interposée therebetween. Une couche de diffraction ayant une structure phase-décalée dans la direction optique de guide d'ondes est interposée entre la couche inférieure de revêtement et la couche active ou entre la deuxième couche supérieure de revêtement et la couche active. La longueur L de la couche de réseau de diffraction dans la direction du guide d'ondes optique est le mu.m L.ltoreq.260 ; un kappa moyen de facteur d'accouplement. du réseau de diffraction une couche est le kappa..gtoreq.150 cm.sup.-1 ; et le kappa.L satisfait 5.6 le kappa.L 3.0.

 
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