A transmittance adjustment mask includes a plurality of features and dummy
features that correspond to circuit elements of integrated circuits, and
uses an exposure device to optically transcribe a pattern corresponding to
the integrated circuits onto a semiconductor substrate. The features have
predetermined minimum dimensions and include an isolated edge and a
plurality of dense edges. The dummy features are spaced apart and parallel
from a corresponding isolated edge by a predetermined distance such that a
light intensity in the dense edges and the isolated edges of the plurality
of features are about the same. The dummy features adjust the amount of
light radiated to peripheral areas of the isolated edges to match that
radiated to peripheral areas of the dense edges, thereby reducing the
difference of dimensions between densely packed features and isolated
features transcribed onto the semiconductor substrate.
Uma máscara do ajuste do transmittance inclui um plurality das características e das características dummy que correspondem aos elementos do circuito de circuitos integrados, e usa um dispositivo da exposição transcrever ótica um teste padrão que corresponde aos circuitos integrados em uma carcaça do semicondutor. As características predeterminaram dimensões mínimas e incluem uma borda isolada e um plurality de bordas densas. As características dummy estão separadas e paralelas espaçados de uma borda isolada correspondente por uma distância predeterminada tais que uma intensidade clara nas bordas densas e as bordas isoladas do plurality das características são mais ou menos idênticas. As características dummy ajustam a quantidade de luz radiated às áreas periféricas das bordas isoladas ao fósforo que radiated às áreas periféricas das bordas densas, reduzindo desse modo a diferença das dimensões entre características densa embaladas e as características isoladas transcritas na carcaça do semicondutor.
