A multi-layered unit according to the present invention includes a support
substrate formed of fused quartz, a buffer layer formed on the support
substrate and formed of a dielectric material containing a bismuth layer
structured compound oriented in the c axis direction, an electrode layer
formed by epitaxially growing crystals of a conductive material on the
buffer layer and oriented in the c axis direction, and a dielectric layer
formed by epitaxially growing a dielectric material containing a bismuth
layer structured compound on the electrode layer and oriented in the c
axis direction. Since the thus constituted multi-layered unit includes the
dielectric layer containing the bismuth layer structured compound oriented
in the c axis direction, in the case of, for example, providing an upper
electrode on the dielectric layer to form a thin film capacitor and
applying a voltage between the electrode layer and the upper electrode,
the direction of the electric field substantially coincides with the c
axis of the bismuth layer structured compound contained in the dielectric
layer. As a result, since the ferroelectric property of the bismuth layer
structured compound contained in the dielectric layer can be suppressed
and the paraelectric property thereof can be fully exhibited, it is
possible to fabricate a thin film capacitor having a small size and large
capacitance.
Una unidad de varias capas según la actual invención incluye un substrato formado del cuarzo fundido, una capa de la ayuda del almacenador intermediario formada en el substrato de la ayuda y formada de un material dieléctrico que contiene un compuesto estructurado una capa del bismuto capa orientado en la dirección del eje de c, del electrodo formada epitaxially creciendo cristales de un material conductor en la capa del almacenador intermediario y orientada en la dirección del eje de c, y una capa dieléctrica formada epitaxially creciendo un material dieléctrico que contiene un compuesto estructurado capa del bismuto en la capa del electrodo y orientada en la dirección del eje de c. Puesto que la unidad de varias capas así constituida incluye la capa dieléctrica que contiene el compuesto estructurado capa del bismuto orientado en la dirección del eje de c, en el caso, por ejemplo, de proporcionar un electrodo superior en la capa dieléctrica para formar un condensador de la película fina y de aplicar un voltaje entre la capa del electrodo y el electrodo superior, la dirección del campo eléctrico coincide substancialmente con el eje de c del compuesto estructurado capa del bismuto contenido en la capa dieléctrica. Consecuentemente, puesto que la característica ferroelectric del compuesto estructurado capa del bismuto contenido en la capa dieléctrica puede ser suprimida y la característica paraelectric de eso puede ser exhibida completamente, es posible fabricar un condensador de la película fina que tiene un tamaño pequeño y una capacitancia grande.
