A method for manufacturing a semiconductor device can efficiently form on a
substrate an amorphous thin film containing small amounts of impurities
without needs for a rapid annealing treatment and a frequent cleaning
process. A method for manufacturing a semiconductor device comprises a
film-forming step and a film-modifying step. In the film-forming step, a
film formation gas from a film formation raw material supply unit 9 is
supplied into a reaction chamber 1 through a shower head 6 to form an
amorphous thin film including a hafnium oxide film (HfO.sub.2 film) on a
substrate 4 which is rotating. In the film-modifying step, a radical
generated in a reactant activation unit 11 is supplied through the same
shower head 6 as used for supplying the film formation gas, so as to
remove a specific element which is an impurity in the film formed in the
film-forming step. By a controller 25, the film-forming step and the
film-modifying step are subsequently repeated two or more times in the
same reaction chamber 1 so as to form a semiconductor device.
Um método para manufaturar um dispositivo de semicondutor pode eficientemente dar forma em uma carcaça a uma película fina amorfa que contem quantidades pequenas de impurezas sem necessidades para um tratamento rápido do recozimento e um processo freqüente da limpeza. Um método para manufaturar um dispositivo de semicondutor compreende uma etapa film-forming e uma etapa película-modificando. Na etapa film-forming, um gás da formação da película de uma unidade crua 9 da fonte material da formação da película é fornecido em uma câmara 1 da reação através de uma cabeça 6 do chuveiro para dar forma a uma película fina amorfa including uma película do óxido do hafnium (película HfO.sub.2) em uma carcaça 4 que esteja girando. Na etapa película-modificando, um radical gerado em uma unidade 11 da ativação do reactant é fornecido através da mesma cabeça 6 do chuveiro que usado fornecendo o gás da formação da película, para remover um elemento específico que seja uma impureza na película dada forma na etapa film-forming. Por um controlador 25, a etapa film-forming e a etapa película-modificando são repetidas subseqüentemente dois ou mais vezes na mesma câmara 1 da reação para dar forma a um dispositivo de semicondutor.
