An integrated Schottky barrier diode chip includes a compound semiconductor
substrate, a plurality of Schottky barrier diodes formed on the substrate
and an insulating region formed on the substrate by an on implantation.
The insulating region electrically separates a portion of a diode at a
cathode voltage from a portion of the diode at an anode voltage. Because
of the absence of a polyimide layer and trench structures, this planar
device configuration results in simpler manufacturing method and improved
device characteristics.
Una viruta integrada del diodo de barrera de Schottky incluye un substrato del semiconductor compuesto, una pluralidad de diodos de barrera de Schottky formados en el substrato y una región aislador formada en el substrato por encendido una implantación. La región aislador separa eléctricamente una porción de un diodo en un voltaje del cátodo de una porción del diodo en un voltaje del ánodo. Debido a la ausencia de una capa del polyimide y de las estructuras del foso, de los resultados planar de esta configuración de dispositivo en un método de fabricación más simple y de las características mejoradas del dispositivo.
