The present invention provides a Schottky Structure in gallium arsenide
(GaAs) semiconductor device, which comprises a gallium arsenide (GaAs)
semiconductor substrate, a titanium (Ti) layer on a surface of said
gallium arsenide (GaAs) semiconductor substrate to form Schottky contact,
a diffusion barrier layer on a surface of said titanium (Ti) layer to
block metal diffusion, and a first copper layer on a surface of said
diffusion barrier layer.
A invenção atual fornece uma estrutura de Schottky no dispositivo de semicondutor do arsenieto de gallium (GaAs), que compreende uma carcaça do semicondutor do arsenieto de gallium (GaAs), uma camada titanium (do ti) em uma superfície de carcaça dita do semicondutor do arsenieto de gallium (GaAs) para dar forma ao contato de Schottky, uma camada de barreira da difusão em uma superfície de camada titanium dita (do ti) para obstruir a difusão do metal, e uma primeira camada do cobre em uma superfície de camada de barreira dita da difusão.
