A copper damascene process for a mechanically weak low k dielectric layer
is described. Electropolishing is used to etch back the copper. A
sacrificial conductive layer beneath the barrier layer assures complete
planarization of the copper.
Un processo damascene di rame per uno strato dielettrico basso meccanicamente debole di K è descritto. L'elettrolucidatura è usata per incidere indietro il rame all'acquaforte. Uno strato conduttivo sacrificial sotto lo strato di sbarramento assicura il planarization completo del rame.
