There is provided a field emission electron source at a low cost in which
electrons can be emitted with a high stability and a high efficiency and a
method of producing the same. In the field emission electron source, a
strong electric field drift part 106 is formed on the n-type silicon
substrate on the principal surface thereof and a surface electrode 107
made of a gold thin film is formed on the strong electric field drift part
106. And the ohmic electrode 2 is formed on the back surface of the n-type
silicon substrate 101. In this field emission electron source 110, when
the surface electrode 107 is disposed in the vacuum and a DC voltage is
applied to the surface electrode 107 which is of a positive polarity with
respect to the n-type silicon substrate 101 (ohmic electrode 2), electrons
injected from the n-type silicon substrate 101 are drifted in the strong
electric field drift part 106 and emitted through the surface electrode
107. The strong electric field drift part 106 comprises a drift region 161
which has a cross section in the structure of mesh at right angles to the
direction of thickness of the n-type silicon substrate 1, which is an
electrically conductive substrate, and a heat radiation region 162 which
is filled in the voids of the mesh and has a heat conduction higher than
that of the drift region 161.
È fornito una fonte dell'elettrone dell'emissione del campo ad un basso costo in cui gli elettroni possono essere emessi con un'alta stabilità e un'alta efficienza e un metodo di produrre lo stesso. Nella fonte dell'elettrone dell'emissione del campo, forte 106 della direzione del campo elettrico è fa sul n-tipo substrato del silicone sulla superficie principale di ciò e un elettrodo di superficie 107 ha fatto di un oro che la pellicola sottile è formata sulla parte forte 106 della direzione del campo elettrico. E l'elettrodo ohmico 2 è formato sulla superficie posteriore del n-tipo il substrato 101 del silicone. In questa fonte 110 dell'elettrone dell'emissione del campo, quando l'elettrodo di superficie 107 è disposto di nel vuoto e una tensione di CC si applica all'elettrodo di superficie 107 che è di una polarità positiva riguardo al n-tipo il substrato del silicone 101 (elettrodo ohmico 2), gli elettroni iniettati dal n-tipo il substrato 101 del silicone sono andati alla deriva nella parte forte 106 della direzione del campo elettrico e sono emessi tramite l'elettrodo di superficie 107. La parte forte 106 della direzione del campo elettrico contiene una regione 161 della direzione che ha perpendicolarmente una sezione trasversale nella struttura della maglia al senso di spessore del n-tipo il substrato 1 del silicone, che è un substrato elettricamente conduttivo e una regione 162 di radiazione di calore che è riempita i vuoti della maglia ed ha una conduzione di calore superiore a quella della regione 161 della direzione.
